产品分类 > 电源管理 > 功率控制 > LT1160CS#TRPBF

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LT1160CS#TRPBF

厂商:
Linear
类别:
功率控制
包装:
-
封装:
SO
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

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  • 参数
  • 描述
  • 文档
参数 数值
Vin Min (V) 9
Vin Max (V) 60
Function Half Bridge Driver
Comments Input UV Lockout, High Side Gate Drive UV Lockout
Extended Temp I
Packages SO-14, N-14
Featured yes
Date Added 1984-01-01
Price 1k * $2.80 (LT1160CN)
New no

特点
工作电压高达 60V 的浮动顶端驱动器开关
可把顶端 N 沟道 MOSFET 的栅极驱动至高于负载HV 电源电压
180ns 变换时间 (驱动 10,000pF)
自适应非重叠栅极驱动可防止发生贯通
在高占空比条件下提供了顶端驱动器保护
TTL/CMOS 输入电平
具迟滞的欠压闭锁
工作电源电压范围:10V 至 15V
单独的顶端和底端驱动引脚

典型应用

描述
LT ? 1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源,以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。 内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。 在低供电电压或启动条件下,欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平,以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞,因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。 LT1162 是 LT1160 的双通道版本,采用 24 引脚P DIP 或24 引脚 SO 宽体封装。

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产品新闻发布 (中文)
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数据表 (英文)
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