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AQV215S

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
Tube packing
封装:
SOP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GU SOP1a (6pin)

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  • 参数
参数 数值
端子形状 Surface-Mount
封装 SOP6
最大正向电流 1A
全部允许损耗 500mW
动作LED电流(平均) 0.7mA
LED压降(最大) 1.5V
最大允许LED电流 50mA
导通电阻(平均) 2.3 ohm
复位LED电流(平均) 0.65mA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
保存温度 -40℃~+100℃
触点结构 1a
使用环境温度 -40℃~+85℃
动作LED电流(最大) 3mA
推荐动作条件(输入LED电流) 5mA
输出端子间容量(平均) 110 pF
连续负载电流 0.3A
耐电压 1500V AC
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
动作时间(平均) 0.6ms
包装方式 Tube packing
国外标准 UL, C-UL
复位LED电流(最小) 0.4mA
LED反向电压 5V
LED压降(平均) 1.25V
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
开路状态漏电流(最大) 1μA
特点 通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合,实现了小型PhotoMOS
负载电压 100 V
导通电阻(最大) 4 ohm
复位时间(平均) 0.06ms
订货产品号 AQV215S
部允许损耗 75mW
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