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AQV112KLAZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
DIP6
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
GU 带短路保护功能非闭锁型(6pin)

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  • 参数
参数 数值
保存温度 -40℃~+100℃
端子形状 Surface-Mount
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
最大正向电流 1A
动作LED电流(平均) 0.8mA
最大允许LED电流 50mA
推荐动作条件(输入LED电流) 10mA
订货产品号 AQV112KLAZ
连续负载电流 0.5A
动作时间(平均) 2ms
全部允许损耗 550mW
LED压降(最大) 1.5V
触点结构 1a
复位LED电流(最小) 0.3mA
过电流保护功能 With short circuit protecting(non-latching)
导通电阻(平均) 0.55 ohm
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
耐电压 1500V AC
特点 附带自复位型短路保护功能的6脚DIP的Photo MOS
包装方式 tape and reel packing(Z)
国外标准 UL, C-UL, VDE
负载电压 60 V
导通电阻(最大) 2 ohm
LED反向电压 5V
LED压降(平均) 1.17V
动作LED电流(最大) 10mA
复位LED电流(平均) 0.7mA
开路状态漏电流(最大) 1μA
输出端子间容量(平均) 300 pF
部允许损耗 75mW
封装 DIP6
使用环境温度 -40℃~+85℃
复位时间(平均) 0.1ms
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
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