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AQS221FN2SZ

厂商:
Panasonic
类别:
PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
包装:
tape and reel packing(Z)
封装:
SOP16
无铅情况/ROHS:
无铅
描述:
RF SOP4a C×R10 电压驱动

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  • 参数
参数 数值
耐电压 500V AC
端子形状 Surface-Mount
封装 SOP16
输入/输出间端子容量(平均) 0.8pF
动作时间(平均) 0.02ms
包装方式 tape and reel packing(Z)
国外标准 -
全部允许损耗 650mW
负载电压 40 V
触点结构 4a
导通电阻(最大) 12.5 ohm
复位时间(平均) 0.02ms
输入/输出间端子容量(最大) 1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流) 5V(Input voltage)
导通电阻(平均) 9.5 ohm
开路状态漏电流(最大) 10nA
输入/输出绝缘电阻(最小) 1000 M ohm
输出端子间容量(平均) 1 pF
连续负载电流 0.06A
部允许损耗 260mW
输入电压(中文用) 6V
复位电压(平均) 1.4V
输入电流(平均)(中文用) 8.5mA
动作电压(最大) 4V
保存温度 -40℃~+100℃
输入逆电压(中文用) 5V
使用环境温度 -40℃~+85℃
复位电压(最小) 0.8V
动作电压(平均) 1.4V
特点 -
订货产品号 AQS221FN2SZ
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